Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors
Ultrathin InAlN/GaN heterostructures on sapphire for high on/off current ratio high electron mobility transistors
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蓝宝石上超薄 InAlN/GaN 异质结构，用于高开/关电流比高电子迁移率晶体管
DOI：
10.1063/1.4808260
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发表时间：
2013
影响因子：
3.2
通讯作者：
N. Grandjean
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Lugani;J.-F. Carlin;M. A. Py;D. Martin;F. Rossi;G. Salviati;P. Herfurth;E. Kohn;J. Bläsing;A. Krost;N. Grandjean
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通过实验室 X 射线衍射快速、微米级表征 III 族氮化物
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Krost;J. Bläsing
通讯作者：
J. Bläsing
影响因子：
4
作者：
D. Schaadt;E. J. Miller;E. Yu;J. Redwing
通讯作者：
D. Schaadt;E. J. Miller;E. Yu;J. Redwing
DOI：
10.1016/0001-6160(53)90006-6
发表时间：
1953-01-01
期刊：
ACTA METALLURGICA
影响因子：
--
作者：
WILLIAMSON, GK;HALL, WH
通讯作者：
HALL, WH
蓝宝石台面上的 GaN 技术
DOI：
--
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
作者：
P. Herfurth;Yakiv Men;R. Rösch;J. Carlin;N. Grandjean;E. Kohn
通讯作者：
E. Kohn
影响因子：
4.9
作者：
Medjdoub, F.;Alomari, M.;Kohn, E.
通讯作者：
Kohn, E.