Investigation of ZrGe Schottky source/drain contacts for Ge p-channel MOSFETs
Investigation of ZrGe Schottky source/drain contacts for Ge p-channel MOSFETs
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Ge p 沟道 MOSFET 的 ZrGe 肖特基源极/漏极接触的研究
DOI：
10.1016/j.mssp.2014.05.025
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发表时间：
2014-10
影响因子：
4.1
通讯作者：
Hiroshi Nakashima
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Haigui Yang;Jinsong Gao;Hiroshi Nakashima
采用直接溅射法在n-Ge衬底上制备了锗化锆肖特基源漏(S/D)接触。研究了ZrGe/n-Ge接触的电学性质，获得了良好的肖特基特性，电子势垒高度为0.59 eV，极低的空穴势垒高度为0.07 eV。在不掺杂任何S/D杂质的情况下，用锆锗作为S/D，很好地实现了肖特基Ge p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的工作。它的良好性能表明，在肖特基Ge p-MOSFET中，ZrGe可用于S/D。
Zirconium germanide (ZrGe) Schottky source/drain (S/D) contacts were fabricated on n-Ge substrates using direct sputter deposition of Zr. The electrical properties of ZrGe/n-Ge contact were investigated and an excellent Schottky characteristic with an electron barrier height of 0.59 eV was obtained, implying an extremely low hole barrier height of 0.07 eV. Using ZrGe as S/D, the operation of Schottky Ge p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) was well demonstrated without any S/D impurity doping. Its good performance indicates that ZrGe is available to S/D in Schottky Ge p-MOSFET.
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影响因子：
4.9
作者：
Shiyang Zhu;Rui Li;S.J. Lee;M. Li;A. Du;J. Singh;Chunxiang Zhu;A. Chin;D. Kwong
通讯作者：
Shiyang Zhu;Rui Li;S.J. Lee;M. Li;A. Du;J. Singh;Chunxiang Zhu;A. Chin;D. Kwong
DOI：
10.1049/ep.1970.0039
发表时间：
1970
期刊：
Electronics and Power
影响因子：
--
作者：
G. Pridham
通讯作者：
G. Pridham
影响因子：
4
作者：
Nishimura, Tomonori;Kita, Koji;Toriumi, Akira
通讯作者：
Toriumi, Akira
DOI：
10.1016/j.mseb.2006.08.016
发表时间：
2006-12
影响因子：
3.6
作者：
M. Caymax;S. Elshocht;M. Houssa;A. Delabie;T. Conard;M. Meuris;M. Heyns;A. Dimoulas;S. Spiga-
通讯作者：
M. Caymax;S. Elshocht;M. Houssa;A. Delabie;T. Conard;M. Meuris;M. Heyns;A. Dimoulas;S. Spiga-
影响因子：
2.9
作者：
Gaudet, S;Detavernier, C;Lavoie, C
通讯作者：
Lavoie, C