n-GaN/Oxide/Al構造の接触抵抗率に及ぼす酸化物種の影響
n-GaN/Oxide/Al構造の接触抵抗率に及ぼす酸化物種の影響
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氧化物种类对 n-GaN/Oxide/Al 结构接触电阻率的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小池淳一
中科院分区：
文献类型：
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作者：
古塲治郎;小池淳一
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不同方法对Au/Ta2O5/n-GaN肖特基势垒异质结电流电压特性的统计分析
DOI：
10.1007/s00339-020-04173-2
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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作者：
V. Manjunath;Nanda Kumar Reddy Nallabala;C. Yuvaraj;Chandramohan Kukkambakam;Venkata Krishnaiah Kummara;Suresh Kumar;Shivani Sharma;M. Lakshmaiah;Vasudeva Reddy Minnam Reddy
通讯作者：
Vasudeva Reddy Minnam Reddy
脉冲激光沉积 Cr 掺杂 SrTiO3 薄膜中陷阱控制的空间电荷限制电流传导
DOI：
10.3938/jkps.51.664
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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作者：
B. T. Phan;C. Jung;T. Choi;Jaichan Lee
通讯作者：
Jaichan Lee
具有溅射氧化镧 (La2O3) 绝缘体的氮化物金属-绝缘体-半导体紫外线传感器
影响因子：
5.4
作者：
Po;Chin;Chia;Chung;San
通讯作者：
San
使用金和铅电极的杂化酞菁薄膜的电性能
DOI：
10.1140/epjb/e2005-00352-7
发表时间：
2005
期刊：
The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems
影响因子：
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作者：
A. Varghese;C. S. Menon
通讯作者：
C. S. Menon
Pt/HfO2/n-GaN 金属绝缘体半导体 (MIS) 肖特基二极管的温度相关电气特性
影响因子：
1.6
作者：
A. Shetty;B. Roul;S. Mukundan;L. Mohan;G. Chandan;K. Vinoy;S. .. Krupanidhi
通讯作者：
S. .. Krupanidhi