Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs
Electrical detection of TV2a-type silicon vacancy spin defect in 4H-SiC MOSFETs
复制标题
4H-SiC MOSFET 中 TV2a 型硅空位自旋缺陷的电学检测
DOI：
10.1063/5.0078189
复制
发表时间：
2022
影响因子：
4
通讯作者：
T. Umeda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Y. Abe;A. Chaen;M. Sometani;S. Harada;Y. Yamazaki;T. Ohshima;T. Umeda
登录
查看更多内容
通过门控双极效应在异质结处实现自旋相关重组的巨大放大
影响因子：
4
作者：
T. Aichinger;P. Lenahan
通讯作者：
P. Lenahan
影响因子：
2.7
作者：
Y. Yamazaki;Yoji Chiba;T. Makino;Shin‐ichiro Sato;N. Yamada;T. Satoh;Y. Hijikata;K. Kojima;Sang-Yun Lee;T. Ohshima
通讯作者：
Y. Yamazaki;Yoji Chiba;T. Makino;Shin‐ichiro Sato;N. Yamada;T. Satoh;Y. Hijikata;K. Kojima;Sang-Yun Lee;T. Ohshima
影响因子：
7.6
作者：
Bathen, M. E.;Galeckas, A.;Vines, L.
通讯作者：
Vines, L.
影响因子：
41.2
作者：
Widmann, Matthias;Lee, Sang-Yun;Wrachtrup, Joerg
通讯作者：
Wrachtrup, Joerg