Fabrication and characterization of metal-ferroelectric-insulator-Si diodes and transistors with different HfSiON buffer layer thickness
Fabrication and characterization of metal-ferroelectric-insulator-Si diodes and transistors with different HfSiON buffer layer thickness
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不同 HfSiON 缓冲层厚度的金属-铁电-绝缘体-硅二极管和晶体管的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Ishiwara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X-B. Lu;H. Ishiwara
以LaAlO3薄膜为绝缘体的Si上SrBi2Ta2O9铁电薄膜的特性
DOI：
10.1007/s00339-004-3021-3
发表时间：
2005
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
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作者：
Aidong Li;Yongjin Wang;Q. Shao;J. Cheng;D. Wu;H. Ling;Y. Bao;Mu Wang;Zu;N. Ming
通讯作者：
N. Ming
1T型铁电存储器Pt/BLT/HfSiON/Si结构的电学特性
影响因子：
0.7
作者：
H. Hoko;Chieko Aoki;Y. Tabuchi;T. Tamura;Kenji Maruyama;Y. Arimoto;H. Ishiwara
通讯作者：
H. Ishiwara
影响因子：
3.2
作者：
Lu, Xu-Bing;Maruyama, Kenji;Ishiwara, Hiroshi
通讯作者：
Ishiwara, Hiroshi