Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
Influence of different GaN cap layer thicknesses on electron mobility in AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
复制标题
不同GaN盖层厚度对AlN/GaN异质结构场效应晶体管电子迁移率的影响
DOI：
10.1016/j.spmi.2016.09.039
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发表时间：
2016-12
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chongbiao Luan
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen Fu;Yuanjie Lv;Zhihong Feng;Chongbiao Luan
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影响因子：
4
作者：
Yuanjie Lv;Zhaojun Lin;L. Meng;Yingxia Yu;Chongbiao Luan;Zhifang Cao;Hong Chen;Baoquan Sun;
通讯作者：
Yuanjie Lv;Zhaojun Lin;L. Meng;Yingxia Yu;Chongbiao Luan;Zhifang Cao;Hong Chen;Baoquan Sun;
影响因子：
4.9
作者：
F. Medjdoub;M. Zegaoui;D. Ducatteau;N. Rolland;P. Rolland
通讯作者：
F. Medjdoub;M. Zegaoui;D. Ducatteau;N. Rolland;P. Rolland
影响因子：
3.7
作者：
Gurusinghe, MN;Davidsson, SK;Andersson, TG
通讯作者：
Andersson, TG
影响因子：
4
作者：
Anwar, AFM;Webster, RT;Smith, KV
通讯作者：
Smith, KV
影响因子：
3.2
作者：
K. Jeganathan;T. Ide;M. Shimizu;H. Okumura
通讯作者：
K. Jeganathan;T. Ide;M. Shimizu;H. Okumura