The silicon lattice defects in proton and gamma irradiated n-channel CCDs
The silicon lattice defects in proton and gamma irradiated n-channel CCDs
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质子和伽马辐照 n 通道 CCD 中的硅晶格缺陷
DOI：
10.1117/12.2530639
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Lindley-DeCaire A
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lindley-DeCaire A
电荷耦合器件（CCD）通常是卫星任务的成像探测器。这些相机系统工作的空间环境充满了高能辐射。要完全保护CCD免受辐射环境的影响是不可能的，因此在基本水平上了解辐射损伤的影响对于消除和纠正图像或光谱的退化至关重要。在这里，我们研究了个别陷阱的性质，特别注意到硅双空位，在n沟道CCD中发现的主要陷阱物种之一，辐射损伤，可以影响图像读出。通过使用陷阱泵浦技术，可以以亚像素精度观察各个陷阱及其特性。以前的研究使用陷阱泵浦技术集中在质子辐照CCD，以消除由此产生的缺陷。除了质子辐照器件外，60 Co源的使用允许研究γ辐照产生的陷阱，通过这种分析可以进行比较。
The Charge Coupled Device (CCD) has often been the imaging detector of choice for satellite missions. The space environments these camera systems operate in is abundant with highly energetic radiation. It is impossible to fully protect the CCD from the radiation environment, understanding the impact of radiation damage at a fundamental level is essential to characterise and correct the degradation on the image or spectrum. Here we study the properties of individual traps, with particular attention paid to the silicon divacancy, one of the major trap species found in n-channel CCDs caused by radiation damage that can effect image readout. Through the use of the trap pumping technique it is possible to observe individual traps and their properties in high detail with sub-pixel accuracy. Previous studies using the trap pumping technique have focused on proton irradiated CCDs to characterise the resulting defects. In addition to proton irradiated devices, the use of a60Co source allows the study of traps resulting from gamma irradiation and through this analysis a comparison can be made.
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.83-87.339
发表时间：
1992
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
E. Gürer;B. Benson;G. D. Watkins
通讯作者：
G. D. Watkins
通过空间和时间绘制 CCD 中辐射引起的缺陷图
DOI：
10.1117/12.2230142
发表时间：
2016
期刊：
Journal of Astronomical Telescopes, Instruments, and Systems
影响因子：
--
作者：
D. Hall;N. Bush;D. Wood;N. Murray;J. Gow;J. Skottfelt;A. Holland
通讯作者：
A. Holland
DOI：
--
发表时间：
1961
期刊：
影响因子：
--
作者：
J. Corbett;G. D. Watkins
通讯作者：
G. D. Watkins
质子辐照n通道CCD硅双空位双受主能级的研究
DOI：
10.1117/12.2231682
发表时间：
2016
期刊：
Materials Science Forum
影响因子：
--
作者：
Daniel Wood;David J. Hall;J. Gow;A. Holland
通讯作者：
A. Holland
固体中的辐射损伤模拟
影响因子：
1.8
作者：
S. Wood;N. Doyle;J. Spitznagel;W. J. Choyke;R. More;J. McGruer;R. B. Irwin
通讯作者：
R. B. Irwin