Defects in Amorphous Oxide Semiconductors
Defects in Amorphous Oxide Semiconductors
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非晶氧化物半导体的缺陷
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Hideo Hosono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Toshio Kamiya;Keisuke Ide;Hideya Kumomi;and Hideo Hosono
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氧化锌及相关材料手册，v.2
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
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影响因子：
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作者：
Z. Feng
通讯作者：
Z. Feng
影响因子：
3.5
作者：
DENEUFVILLE, JP;MOSS, SC;OVSHINSKY, SR
通讯作者：
OVSHINSKY, SR
影响因子：
4
作者：
Ide, Keisuke;Kikuchi, Yutomo;Hosono, Hideo
通讯作者：
Hosono, Hideo
影响因子：
64.8
作者：
Nomura, K;Ohta, H;Hosono, H
通讯作者：
Hosono, H
影响因子：
2.1
作者：
Haochun Tang;K. Ide;H. Hiramatsu;S. Ueda;N. Ohashi;H. Kumomi;H. Hosono;T. Kamiya
通讯作者：
Haochun Tang;K. Ide;H. Hiramatsu;S. Ueda;N. Ohashi;H. Kumomi;H. Hosono;T. Kamiya