第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
第一原理計算によるH原子吸着Si(001)表面のSTM像の解析
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使用第一性原理计算分析氢原子吸附的 Si(001) 表面的 STM 图像
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发表时间：
2005
期刊：
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通讯作者：
小野倫也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
小野倫也;小野倫也
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Si(100)-2×1表面氢吸附与复合解吸的扫描隧道显微镜研究
DOI：
10.1116/1.577984
发表时间：
1992
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
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作者：
J. Boland
通讯作者：
J. Boland
Si(001)上氯甲烷吸附和解离的原子分辨扫描隧道显微镜研究
DOI：
10.1116/1.579826
发表时间：
1995
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
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作者：
M. Bronikowski;R. Hamers
通讯作者：
R. Hamers
Si(001)-(2×1)与NH3反应的扫描隧道显微镜研究
DOI：
10.1116/1.575369
发表时间：
1988
期刊：
Journal of Vacuum Science and Technology
影响因子：
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作者：
R. Hamers;P. Avouris;F. Bozsó
通讯作者：
F. Bozsó
SI(100)-(2X1) 上的 CL2 解离：通过扫描隧道显微镜进行的统计研究
DOI：
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
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作者：
I. Lyubinetsky;Z. Dohnálek;W. J. Choyke;J. Yates
通讯作者：
J. Yates
H.Okada：“用屈曲调光器对 Si(001) 重建表面的扫描隧道显微镜图像进行详细分析”Phys.Rev.B。
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：
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