Polarization modulation effect of BeO on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
Polarization modulation effect of BeO on AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
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BeO对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的偏振调制效应
DOI：
10.1063/1.5108832
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发表时间：
2019
影响因子：
4
通讯作者：
Chatterjee, Bikramjit
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang, Weijie;Lee, Seung Min;Pouladi, Sara;Chen, Jie;Shervin, Shahab;Yoon, Seonno;Yum, Jung Hwan;Larsen, Eric S.;Bielawski, Christopher W.;Chatterjee, Bikramjit
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影响因子：
4.7
作者：
Seung Min Lee;Y. Jang;Jong-Guk Jung;J. Yum;E. Larsen;Sang Yeon Lee;H. Seo;C. Bielawski;H. Lee;Jungwoo Oh
通讯作者：
Seung Min Lee;Y. Jang;Jong-Guk Jung;J. Yum;E. Larsen;Sang Yeon Lee;H. Seo;C. Bielawski;H. Lee;Jungwoo Oh
影响因子：
4.9
作者：
Weijie Wang;Shahab Shervin;S. Oh;Jie Chen;Yang Huai;S. Pouladi;Hyunsoo Kim;Sungnam Lee;J. Ryou
通讯作者：
Weijie Wang;Shahab Shervin;S. Oh;Jie Chen;Yang Huai;S. Pouladi;Hyunsoo Kim;Sungnam Lee;J. Ryou
影响因子：
9.5
作者：
Chen, Jie;Oh, Seung Kyu;Ryou, Jae-Hyun
通讯作者：
Ryou, Jae-Hyun
GaN 和 ZnO 衬底上晶体 BeO 薄膜的域外延
影响因子：
3.9
作者：
S. M. Lee;J. Yum;E. Larsen;Shahab Shervin;Weijie Wang;J. Ryou;C. Bielawski;Woo;S. Kim;Jungwoo Oh
通讯作者：
Jungwoo Oh
影响因子：
3.7
作者：
Bernardini, F;Fiorentini, V;Vanderbilt, D
通讯作者：
Vanderbilt, D