Impact of processing and growth conditions on the site-catalyzed patterned growth of GaAs nanowires by molecular beam epitaxy
Impact of processing and growth conditions on the site-catalyzed patterned growth of GaAs nanowires by molecular beam epitaxy
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加工和生长条件对分子束外延 GaAs 纳米线位点催化图案化生长的影响
DOI：
10.1117/12.2274669
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Eldada, Louay A.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sharma, Manish;Kasanaboina, Pavan K.;Iyer, Shanthi;Campo, Eva M.;Dobisz, Elizabeth A.;Eldada, Louay A.
我们报道了利用自辅助分子束外延在Si（111）上选择性生长>90%垂直GaAs纳米线（NWs）。研究了生长参数（生长前Ga开启时间、V/III通量比）和工艺条件（反应离子刻蚀（RIE）和HF刻蚀时间）对不同节距（200 ~ 1000 nm）下获得垂直NWs的影响。工艺变量决定了天然氧化层的去除和图案孔内ga液滴的接触角，这对NWs的垂直方向至关重要。研究发现，生长前ga打开时间是决定孔洞中液滴大小的关键因素，而由于NWs轴向生长受到V族限制，V/III光束等效压力（BEP）比影响孔洞的占用。
We report on the site-selective growth of >90% vertical GaAs nanowires (NWs) on Si (111) using self-assisted molecular beam epitaxy. The influences of growth parameters (pre-growth Ga opening time, V/III flux ratio) and processing conditions (reactive ion etching (RIE) and HF etching time) are investigated for different pitch lengths (200- 1000 nm) to achieve vertical NWs. The processing variables determine the removal of the native oxide layer and the contact angle of Ga-droplet inside the patterned hole that are critical to the vertical orientation of the NWs. Pre-growth Ga-opening time is found to be a crucial factor determining the size of the droplet in the patterned hole, while the V/III beam equivalent pressure (BEP) ratio influenced the occupancy of the holes due to the axial growth of NWs being group-V limited.
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影响因子：
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作者：
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作者：
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