THz Magneto-Photoresponse Spectroscopy of Two-Dimensional Electrons in an InAs/InGaAs/InAlAs Inserted-Channel
THz Magneto-Photoresponse Spectroscopy of Two-Dimensional Electrons in an InAs/InGaAs/InAlAs Inserted-Channel
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InAs/InGaAs/InAlAs 插入通道中二维电子的太赫兹磁光响应光谱
DOI：
10.1007/s10762-014-0126-4
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Wolfgang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Pakmehr;Mehdi ; Khaetskii;Alexander ; McCombe;Bruce D. ; Chiatti;Olivio ; Fischer;Saskia F. ;Christian ; Hansen;Wolfgang
我们用太赫兹磁光响应/透射法测量了非对称InAs/InGaAs/InAlAs插入势垒异质结中主要位于InAs插入沟道内的二维电子气(2DEG)的各种电学参数。我们发展了一种基于回旋共振(CR)吸收对二维电子气进行共振加热的分析方法。该分析结合了模拟CR吸收的共振T分布，并结合了二维EG的量子化电阻振荡的理论表达式。对一组单独的PR数据与磁场进行拟合，原则上可以提供2DEs的g因子、回旋有效质量、SDH散射时间、CR散射时间和载流子密度。这是一种温差技术，它提高了对舒布尼科夫-德哈斯(S-dh)振荡谐波含量的敏感性，从而比在相同浴温度下直接测量S-dh更清楚地显示出低场下朗道能级的自旋分裂。结果表明，电子的g因子增强，g因子各向异性大。
We have used THz magneto-photoresponse/transmission to measure various electronic parameters of a two-dimensional electron gas (2DEG) located primarily within an InAs inserted-channel and the surrounding InGaAs well in an asymmetric InAs/InGaAs/InAlAs inserted-well heterostructure in magnetic fields up to 10 T. We have developed an analytical approach to the photoresponse based on resonant heating of the 2DEG by cyclotron resonance (CR) absorption. The analysis incorporates a resonant T-profile mimicking the CR absorption, combined with the theoretical expression for quantized resistance oscillations of a 2DEG. Fitting of an individual set of PR data vs. magnetic field can in principle, provide g-factor, cyclotron effective mass, SdH scattering time, CR scattering time and carrier density of the 2DEs. This is a temperature differential technique, which leads to enhanced sensitivity to harmonic content of the Shubnikov-deHaas (S-dH) oscillations and thus to clearer spin-splitting of the Landau levels at lower fields than is possible in direct S-dH measurements at the same bath temperature. Results show an enhanced g-factor for electrons and large g-factor anisotropy.
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DOI：
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发表时间：
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Moore
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通讯作者：
B. McCombe
DOI：
10.1088/0022-3719/19/34/015
发表时间：
1986-12-10
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作者：
ISIHARA, A;SMRCKA, L
通讯作者：
SMRCKA, L