Fabrication and mechanism of 6H-type silicon carbide whiskers by physical vapor transport technique
Fabrication and mechanism of 6H-type silicon carbide whiskers by physical vapor transport technique
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物理气相传输技术制备6H型碳化硅晶须及其机理
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2012.03.055
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发表时间：
2012-06
影响因子：
1.8
通讯作者：
Li, Hailiang2
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shi, Yonggui1;Yang, Jianfeng1;Liu, Hulin1;Dai, Peiyun1;Liu, Bobo1;Jin, Zhihao1;Qiao, Guanjun1;Li, Hailiang2
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DOI：
10.1063/1.2751930
发表时间：
2007-06
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
M. Skowronski
通讯作者：
M. Skowronski
影响因子：
1.8
作者：
I. Leu;Yang-Ming Lu;M. Hon
通讯作者：
I. Leu;Yang-Ming Lu;M. Hon
影响因子：
5.2
作者：
R. Dhiman;E. Johnson;P. Morgen
通讯作者：
R. Dhiman;E. Johnson;P. Morgen
影响因子：
7.4
作者：
J. Adler;K. J. Hüttinger;R. Minges
通讯作者：
J. Adler;K. J. Hüttinger;R. Minges
影响因子：
3
作者：
Ingo Jung;Sun-Hee Cho;S. Na;Jaehyung Lee;H. Lee;W. Cho
通讯作者：
Ingo Jung;Sun-Hee Cho;S. Na;Jaehyung Lee;H. Lee;W. Cho