Band alignment at the In2S3/Cu2ZnSnS4 heterojunction interface investigated by X-ray photoemission spectroscopy
Band alignment at the In2S3/Cu2ZnSnS4 heterojunction interface investigated by X-ray photoemission spectroscopy
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X 射线光电子能谱研究 In2S3/Cu2ZnSnS4 异质结界面的能带排列
DOI：
10.1007/s00339-014-8431-2
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发表时间：
2014-04
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Pengyi Zhao
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Lingyan Lin;Jinling Yu;Shuying Cheng;Peimin Lu;Yunfeng Lai;Sile Lin;Pengyi Zhao
利用x射线光发射光谱研究了In2S3/Cu2ZnSnS4异质结界面处的能带对准。采用磁控溅射法制备了无污染的Cu2ZnSnS4多晶表面。测量到的价带偏移值为0.46±0.1 eV，与“传递率”法计算的价带偏移值0.49 eV吻合较好。测定导带偏置为0.82±0.1 eV，表明异质结界面处的“I型”带对准。
The band alignment at the In2S3/Cu2ZnSnS4 heterojunction interface is investigated by X-ray photoemission spectroscopy. In2S3 is thermally evaporated onto the contamination-free polycrystalline Cu2ZnSnS4 surface prepared by magnetron sputtering. The valence band offset is measured to be 0.46 ± 0.1 eV, which matches well with the valance band offset value 0.49 eV calculated using “transitivity” method. The conduction band offset is determined to be 0.82 ± 0.1 eV, indicating a ‘type I’ band alignment at the heterojunction interface.
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影响因子：
4
作者：
Sun, G. S.;Liu, X. L.;Yang, S. Y.;Wang, Z. G.;Wei, H. Y.;Zhang, B. L.;Zhang, P. F.;Zhu, Q. S.;Cai, F. F.;Fan, H. B.
通讯作者：
Fan, H. B.
影响因子：
4
作者：
S. Wei;A. Zunger
通讯作者：
S. Wei;A. Zunger
影响因子：
6.7
作者：
Barreau, N.
通讯作者：
Barreau, N.
DOI：
10.1088/0022-3727/46/17/175101
发表时间：
2013-05
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
--
作者：
A. Santoni;F. Biccari;C. Malerba;M. Valentini;R. Chierchia;A. Mittiga
通讯作者：
A. Santoni;F. Biccari;C. Malerba;M. Valentini;R. Chierchia;A. Mittiga
DOI：
10.1007/s10854-008-9591-7
发表时间：
2009-01-01
影响因子：
2.8
作者：
Mathew, Meril;Kartha, C. Sudha;Vijayakumar, K. P.
通讯作者：
Vijayakumar, K. P.