Stimulated emission at 340 nm from AlGaN multiple quantum well grown using high temperature AlN buffer technologies on sapphire
Stimulated emission at 340 nm from AlGaN multiple quantum well grown using high temperature AlN buffer technologies on sapphire
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使用高温 AlN 缓冲技术在蓝宝石上生长的 AlGaN 多量子阱的 340 nm 受激发射
DOI：
10.1063/1.3253416
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发表时间：
2009
影响因子：
4
通讯作者：
Wang Q
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wang Q
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影响因子：
4
作者：
Tao Wang;J. Bai;P. Parbrook;A. G. Cullis
通讯作者：
Tao Wang;J. Bai;P. Parbrook;A. G. Cullis
紧凑、全固态、高重复率 336nm 光源，基于四倍频、Q 开关、二极管泵浦 Nd:YVO4 激光器。
影响因子：
3.8
作者：
H. Ogilvy;J. Piper
通讯作者：
J. Piper
GaN/AlN界面处形成V形凹坑
影响因子：
1.8
作者：
J. Bai;Tao Wang;P. Parbrook;I. Ross;A. G. Cullis
通讯作者：
A. G. Cullis
影响因子：
4
作者：
Takano, T;Narita, Y;Kawanishi, H
通讯作者：
Kawanishi, H