Degradation of charge sharing after neutron irradiation in strip silicon detectors with different geometries
Degradation of charge sharing after neutron irradiation in strip silicon detectors with different geometries
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不同几何形状的带状硅探测器中子辐照后电荷共享的退化
DOI：
10.1016/j.nima.2013.05.158
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Casse G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Casse G
CERN/RD50合作的目的是提高半导体探测器的辐射容忍度，为未来在高亮度对撞机上的实验做准备。在RD50框架中，在严重辐照的硅探测器（二极管，分段平面和3D器件）中发现了增强信号电荷的证据。其基本机理是标记电荷倍增。这是RD50研究活动中最令人兴奋的结果之一，因为如果发现该机制是可控和可调的，它可以大大扩展辐射耐受性。电荷倍增机制受电子在高电场中漂移产生的冲击电离控制。电场分布受植入电极几何形状的影响。为了研究二极管植入几何形状对电荷倍增的影响，RD50合作已经委托生产具有各种条带间距和条带宽度/间距（w/p）比选择的微型微带硅传感器。此外，为了修改电场分布，还在一些传感器上制作了带有虚拟中间条的交错读出条。这些几何解可以影响相邻条带之间的电荷倍增和电荷共享。本研究的初步结果如下。
The aim of the CERN/RD50 collaboration is the improvement of the radiation tolerance of semiconductor detectors for future experiments at high-luminosity colliders. In the RD50 framework, evidence of enhanced signal charge in severely irradiated silicon detectors (diodes, segmented planar and 3D devices) was found. The underlying mechanism was labelled charge multiplication. This has been one of the most exciting results from the research activity of RD50 because it could allow for a greatly extended radiation tolerance, if the mechanism is to be found controllable and tuneable. The charge multiplication mechanism is governed by impact ionisation from electrons drifting in high electric field. The electric field profile is influenced by the geometry of the implanted electrodes. In order to investigate the influence of the diode implantation geometry on charge multiplication, the RD50 collaboration has commissioned the production of miniature microstrip silicon sensors with various choices of strip pitch and strip width over pitch (w/p) ratios. Moreover, some of the sensors were produced interleaving readout strips with dummy intermediate ones in order to modify the electric field profile. These geometrical solutions can influence both charge multiplication and charge sharing between adjacent strips. The initial results of this study are here presented.
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DOI：
10.1016/0029-554x(81)91192-7
发表时间：
1981
期刊：
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
影响因子：
--
作者：
J. England;B. Hyams;L. Hubbeling;J. Vermeulen;P. Weilhammer
通讯作者：
P. Weilhammer
第22届RD50高亮度对撞机抗辐射半导体器件研讨会
DOI：
10.2172/1170535
发表时间：
2013
影响因子：
1.4
作者：
S. Seidel
通讯作者：
S. Seidel
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m n}_{
m eq}$ cm$^{- 2}$
影响因子：
1.8
作者：
G. Casse;A. Affolder;P. Allport;M. Wormald
通讯作者：
M. Wormald
ICMAB(西班牙)
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
作者：
通讯作者：
--
DOI：
10.1016/j.nima.2003.11.015
发表时间：
2004-02-01
影响因子：
1.4
作者：
Casse, G;Allport, PP;Turner, PR
通讯作者：
Turner, PR