Understanding the switching mechanism of interfacial phase change memory
Understanding the switching mechanism of interfacial phase change memory
复制标题
了解界面相变存储器的切换机制
DOI：
10.1063/1.5093907
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发表时间：
2019
影响因子：
3.2
通讯作者：
Wong, H. -S. Philip
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Okabe, Kye L.;Sood, Aditya;Yalon, Eilam;Neumann, Christopher M.;Asheghi, Mehdi;Pop, Eric;Goodson, Kenneth E.;Wong, H. -S. Philip
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影响因子：
4.6
作者：
Yalon E;Deshmukh S;Muñoz Rojo M;Lian F;Neumann CM;Xiong F;Pop E
通讯作者：
Pop E
影响因子：
4
作者：
Tominaga, Junji;Simpson, Robert E.;Kolobov, Alexander V.
通讯作者：
Kolobov, Alexander V.
影响因子：
4.6
作者：
Bang D;Awano H;Tominaga J;Kolobov AV;Fons P;Saito Y;Makino K;Nakano T;Hase M;Takagaki Y;Giussani A;Calarco R;Murakami S
通讯作者：
Murakami S
影响因子：
3.1
作者：
Fong, Scott W.;Neumann, Christopher M.;Wong, H. -S. Philip
通讯作者：
Wong, H. -S. Philip
影响因子：
4
作者：
Neumann, Christopher M.;Okabe, Kye L.;Pop, Eric
通讯作者：
Pop, Eric