Dilute bismide alloys grown on GaAs and InP substrates for improved near- and mid-infrared semiconductor lasers
Dilute bismide alloys grown on GaAs and InP substrates for improved near- and mid-infrared semiconductor lasers
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在 GaAs 和 InP 基底上生长的稀双胺合金可改善近红外和中红外半导体激光器
DOI：
10.1109/icton.2016.7550303
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Broderick C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Broderick C
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稀双酰胺和双氮化物半导体的 12 和 14 带 k·p 哈密顿量的推导
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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作者：
C. Broderick;M. Usman;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
Юрий Георгиевич Шретер;Юрий Тоомасович Ребане;Алексей Владимирович Миронов
通讯作者：
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影响因子：
3.2
作者：
Jin S
通讯作者：
Jin S
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4
作者：
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通讯作者：
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