A Study of High Resistivity Semi-Insulating 4H-SiC Epilayers Formed via the Implantation of Germanium and Vanadium
A Study of High Resistivity Semi-Insulating 4H-SiC Epilayers Formed via the Implantation of Germanium and Vanadium
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锗、钒注入高阻半绝缘4H-SiC外延层的研究
DOI：
10.4028/p-92w3k6
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Renz A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Renz A
一种通过注入锗降低4H-碳化硅接触电阻的技术
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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作者：
G. Katulka;K. Roe;J. Kolodzey;C. Swann;G. Desalvo;R. C. Clarke;G. Eldridge;R. Messham
通讯作者：
R. Messham
通过锗离子减少 n 型 4H-SiC 中的注入引起的点缺陷
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Sledziewski;Gunter Ellrott;W. Rösch;H. B. Weber;M. Krieger
通讯作者：
M. Krieger
IV族元素掺杂4H-SiC
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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作者：
M. Krieger;M. Rühl;T. Sledziewski;Gunter Ellrott;Theresa Palm;H. B. Weber;M. Bockstedte
通讯作者：
M. Bockstedte