Evaluation of Soft-Error Tolerance by Neutrons and Heavy Ions on Flip Flops with Guard Gates in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
Evaluation of Soft-Error Tolerance by Neutrons and Heavy Ions on Flip Flops with Guard Gates in a 65 nm Thin BOX FDSOI Process
复制标题
65 nm 薄盒 FDSOI 工艺中带保护栅极的触发器上中子和重离子的软错误容限评估
DOI：
--
复制
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
and K. Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Ebara;K. Yamada;K. Kojima;Y. Tsukita;J. Furuta;and K. Kobayashi
登录
查看更多内容
20 nm 体平面和 16 nm 体 FinFET 技术中 FF 设计的软错误率与温度的关系
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
--
作者：
H. Zhang;H. Jiang;T. Assis;D. Ball;K. Ni;J. Kauppila;peixiong zhao;L. Massengill;B. Bhuva;B. Narasimham;S. Hatami;A. Anvar;A. Lin;J. K. Wang
通讯作者：
J. K. Wang
DOI：
--
发表时间：
2000
期刊：
--
影响因子：
--
作者：
J. Barth;J. Isaacs;C. Poivey
通讯作者：
C. Poivey
加速软错误测试的广谱中子源的理论关联
影响因子：
1.8
作者：
C. Slayman
通讯作者：
C. Slayman
通过测量单粒子瞬态脉冲宽度和单粒子翻转率来评估 65 nm 绝缘体上全耗尽硅和体工艺的辐射硬度
影响因子：
1.5
作者：
J. Furuta;E. Sonezaki;Kazutoshi Kobayashi
通讯作者：
Kazutoshi Kobayashi
在 FDSOI 工艺中使用防护门的具有小面积和延迟开销的抗辐射触发器
DOI：
10.1109/s3s.2018.8640212
发表时间：
2018
期刊：
2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S)
影响因子：
--
作者：
Kodai Yamada;J. Furuta;Kazutoshi Kobayashi
通讯作者：
Kazutoshi Kobayashi