Radiation hardness evaluations of 65 nm fully depleted silicon on insulator and bulk processes by measuring single event transient pulse widths and single event upset rates
Radiation hardness evaluations of 65 nm fully depleted silicon on insulator and bulk processes by measuring single event transient pulse widths and single event upset rates
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通过测量单粒子瞬态脉冲宽度和单粒子翻转率来评估 65 nm 绝缘体上全耗尽硅和体工艺的辐射硬度
DOI：
10.7567/jjap.54.04dc15
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发表时间：
2015
影响因子：
1.5
通讯作者：
Kazutoshi Kobayashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Furuta;E. Sonezaki;Kazutoshi Kobayashi
我们测量了逆变器链上的单事件瞬态（SET）脉冲宽度和65 nm绝缘体上全耗尽硅（FD-SOI）和批量工艺制造的触发器（ff）上的单事件扰动（SEU）速率。除埋氧化层外，测试芯片的版图设计在两种工艺之间是严格相同的。实验结果表明，FD-SOI工艺的中子诱导SEU率和SET率分别比本体工艺低230倍和450倍。
We measure single event transient (SET) pulse widths on inverter chains and single event upset (SEU) rates on flip-flops (FFs) fabricated in 65 nm fully depleted silicon on insulator (FD-SOI) and bulk processes. The layout designs of test chips are strictly identical between their processes besides buried oxide (BOX) layers. Experimental results show that neutron-induced SEU and SET rates in the FD-SOI process are 230× and 450× lower than those in the bulk process, respectively.
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用于测量针对高能中子和阿尔法粒子的软错误弹性的 65nm 触发器阵列
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
古田;濱中;小林;小野寺
通讯作者：
小野寺
影响因子：
1.8
作者：
J. Baggio;V. Ferlet-Cavrois;D. Lambert;P. Paillet;Frédéric Wrobel;K. Hirose;H. Saito;E. W. Blackmore
通讯作者：
J. Baggio;V. Ferlet-Cavrois;D. Lambert;P. Paillet;Frédéric Wrobel;K. Hirose;H. Saito;E. W. Blackmore
直接测量重离子辐照的 0.2μm SOI 逻辑单元中的 SET 脉冲宽度
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
IEEE Transactions on Nuclear Science 53(6)
影响因子：
--
作者：
Yoshimitsu Yanagawa;et. al.;Yoshimitsu Yanagawa
通讯作者：
Yoshimitsu Yanagawa
使用传播引起的脉冲收缩测量中子引起的 SET 脉冲宽度
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
--
作者：
古田;濱中;小林;小野寺
通讯作者：
小野寺