Fabrication of High-Uniformity and High-Reliability Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Self-Terminating Dielectric Etching Process in a 150-mm Si Foundry
Fabrication of High-Uniformity and High-Reliability Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Self-Terminating Dielectric Etching Process in a 150-mm Si Foundry
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在 150 毫米硅铸造厂中采用自终止介电蚀刻工艺制造高均匀性和高可靠性的 Si3N4/AlGaN/GaN MIS-HEMT
DOI：
10.1109/ted.2018.2869703
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发表时间：
2018-09
影响因子：
3.1
通讯作者：
Chen Dongmin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sun Hui;Wang Maojun;Chen Jianguo;Liu Peng;Kuang Wenteng;Liu Meihua;Hao Yilong;Chen Dongmin
报道了一种新的早栅介质AlGaN/GaN金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMTs)工艺。采用低压化学气相沉积的优质Si3N4介质，不易损坏
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Zenji Yatabe;Y. Hori;Wangong Ma;J. Asubar;M. Akazawa;Taketomo Sato;T. Hashizume
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