Maskless Surface Patterning of AlGaInP Light-Emitting Diodes by Photochemical Laser Interference Etching
Maskless Surface Patterning of AlGaInP Light-Emitting Diodes by Photochemical Laser Interference Etching
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通过光化学激光干涉蚀刻对 AlGaInP 发光二极管进行无掩模表面图案化
DOI：
10.1021/jp407477h
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发表时间：
2013-12
影响因子：
3.7
通讯作者：
Xu, Xiangang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Feng, Zhaobin;Zhang, Qian;Lin, Xiaoyu;Xu, Xiangang
激光纳米加工引起了人们对大规模生产具有所需或改进性能的微结构的极大兴趣。我们在此报告了一种简便的无掩模方法，通过光化学激光干涉蚀刻在 AlGaInP 发光二极管 (LED) 上制造二维 (2D) 准周期图案。通过在由氢氟酸 (HF) 和过氧化氢 (H2O2) 组成的蚀刻剂中光化学蚀刻 GaP，将两束 532 nm 激光束产生的干涉图案转移到 AlGaInP LED 的顶部 GaP 窗口层。蚀刻后的GaP表面包含周期为150±10 nm的二维准周期金字塔结构，可将AlGaInP LED的光提取效率大幅提高70%。这种无掩模构图方法具有通用性，可以应用于基于其他半导体材料的光电器件上的图案制作。
Laser nanofabrication has attracted great interest for mass production of microstructures with desired or improved properties. We report here a facile, maskless method for fabricating two-dimensional (2D) quasiperiodic patterns on AlGaInP light-emitting diodes (LEDs) by photochemical laser interference etching. The interference pattern produced by two 532 nm laser beams is transferred to the top GaP window layer of the AlGaInP LEDs by photochemical etching of GaP in an etchant composed hydrofluoric acid (HF) and hydrogen peroxide (H2O2). The etched GaP surface contains 2D quasiperiodic pyramidal structures with a period of 150 ± 10 nm, which can dramatically increase the light extraction efficiency of the AlGaInP LEDs by 70%. This maskless patterning method is general and can be applied to fabricating patterns on optoelectronic devices based on other semiconductor materials.
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DOI：
10.1002/pssa.201127189
发表时间：
2011-09
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
Zhiyuan Zuo;Duo Liu;Baitao Zhang;Jingliang He;Hong Liu;Xiangang Xu
通讯作者：
Zhiyuan Zuo;Duo Liu;Baitao Zhang;Jingliang He;Hong Liu;Xiangang Xu
影响因子：
4
作者：
W. Peng;Y. S. Wu
通讯作者：
W. Peng;Y. S. Wu
影响因子：
4
作者：
Kim, DH;Cho, CO;Park, QH
通讯作者：
Park, QH
影响因子：
2.7
作者：
Williams, KR;Muller, RS
通讯作者：
Muller, RS
影响因子：
3.2
作者：
A. Kaplan
通讯作者：
A. Kaplan