Polarization of eigenmodes in laser diode waveguides on semipolar and nonpolar GaN
Polarization of eigenmodes in laser diode waveguides on semipolar and nonpolar GaN
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半极性和非极性 GaN 激光二极管波导中本征模的偏振
DOI：
10.1002/pssr.200903325
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
M. Kneissl
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
J. Raß T. Wernicke;W. G. Scheibenzuber;U. T. Schwarz;J. Kupec;B. Witzigmann;P. Vogt;S. Einfeldt;M. Weyers;M. Kneissl
最近对在半极性氮化镓上生长的波导的本征模的计算表明，发射光的光偏振和光增益取决于谐振器的方向。我们对半极性（11′2′2）和（10′12′2）GaN上的单独约束异质结构的测量表明，对于沿半极性11′2′3和0′1′11方向（即c轴在生长平面上的投影）的激光谐振器，放大自发发射的阈值低于非极性方向，并且受激发射作为TE模式呈线性极化。另一方面，对于沿非极性11 00或11 2 0方向的波导结构，光增益在生长平面上的双折射和各向异性不仅导致更高的阈值，而且导致光偏振的旋转，这不再是TE或TM偏振，而是受材料的普通和特殊折射率的影响。我们观察到受激辐射在近似平行于c轴的方向上呈线偏振模式。（©2010 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim）
Recent calculations of the eigenmodes in waveguides grown on semipolar GaN suggest that the optical polarization of the emitted light as well as the optical gain depends on the orientation of the resonator. Our measurements on separate confinement heterostructures on semipolar (11 ̄2 2) and (10 ̄1 2) GaN show that for laser resonators along the semipolar 11 ̄2̄3 and 0 ̄1 11 directions (ie the projection of the c‐axis onto the plane of growth) the threshold for amplified spontaneous emission is lower than for the nonpolar direction and that the stimulated emission is linearly polarized as TE mode. For the waveguide structures along the nonpolar 1 ̄1 00 or 11 ̄2 0 direction on the other hand, birefringence and anisotropy of the optical gain in the plane of growth leads not only to a higher threshold but alsoto a rotation of the optical polarization which is not any more TE‐or TM‐polarized but influenced by the ordinary and extraordinary refractive index of the material. We observe stimulated emission into a mode which is linearly polarized in extraordinarydirection nearly parallel to the c‐axis.(© 2010 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
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半极性 (10) 体 GaN 衬底上的 InGaN/GaN 激光二极管
DOI：
10.1002/pssc.200778460
发表时间：
2008
期刊：
Physica Status Solidi (c)
影响因子：
--
作者：
A. Tyagi;H. Zhong;R. Chung;D. Feezell;M. Saito;K. Fujito;J. Speck;S. Denbaars;S. Nakamura
通讯作者：
S. Nakamura
非c面InCaN量子阱的光学各向异性控制
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics 48
影响因子：
--
作者：
K.Kojima;H.Kamon;M.Funato;Y.Kawakami
通讯作者：
Y.Kawakami
影响因子：
4
作者：
K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;S. Masui;S. Nagahama;T. Mukai
通讯作者：
K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;S. Masui;S. Nagahama;T. Mukai
影响因子：
3.7
作者：
Park, SH;Chuang, SL
通讯作者：
Chuang, SL
非极性（m 面）和半极性 (1122) InGaN 多量子阱激光二极管结构在蓝绿光 (480 nm) 和绿光 (514 nm) 波长下的受激发射
影响因子：
2.3
作者：
A. Tyagi;You;D. Cohen;M. Saito;K. Fujito;J. Speck;S. Denbaars;S. Nakamura
通讯作者：
S. Nakamura