Injection-type light-emitting devices using rare-earth-doped III-V semiconductors
Injection-type light-emitting devices using rare-earth-doped III-V semiconductors
复制标题
使用稀土掺杂III-V族半导体的注入型发光器件
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y.Takeda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Fujiwara;A.Koizumi;Y.Takeda
断续生长外延生长的 GaN:Eu 电致发光器件
影响因子：
2.1
作者：
C. Munasinghe;A. Steckl
通讯作者：
A. Steckl
等离子体辅助 MBE 期间原位掺杂 Er 的 GaN 层的透射电子显微镜
DOI：
10.1002/pssc.200461500
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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作者：
T. Wojtowicz;P. Ruterana;D. Lee;A. Steckl
通讯作者：
A. Steckl
蓝宝石衬底上的 GaN:Eu 光学腔发出可见激光
影响因子：
3.9
作者：
J. Park;A. Steckl
通讯作者：
A. Steckl