Enhanced Crystal nucleation in a-SiGe/SiO_2 by Ion-irradiation Assisted Annealing
Enhanced Crystal nucleation in a-SiGe/SiO_2 by Ion-irradiation Assisted Annealing
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离子辐照辅助退火增强 a-SiGe/SiO_2 中的晶体成核
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
I.Tsunoda 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;宮尾 正信 他;I.Tsunoda et al.;I.Tsunoda et al.;T.Sadoh et al.;I.Tsunoda 他
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离子束刺激在 SiO2 上低温固相结晶 a-Si1−xGex
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00770-x
发表时间：
2002
影响因子：
3.6
作者：
I. Tsunoda;T. Nagata;A. Kenjo;T. Sadoh;M. Miyao
通讯作者：
M. Miyao
离子注入硅损伤的光学反射率研究
影响因子：
1.5
作者：
M. Miyao;T. Miyazaki;T. Tokuyama
通讯作者：
T. Tokuyama
硅中离子束诱导结晶机制的剂量率依赖性和时间常数
影响因子：
3.2
作者：
J. Linnros;G. Holmén
通讯作者：
G. Holmén
低压化学气相沉积多晶硅锗薄膜的沉积及性能
影响因子：
3.9
作者：
T. King;K. Saraswat
通讯作者：
K. Saraswat
横向固相外延低温SOI（绝缘体上硅）形成
影响因子：
3.2
作者：
M. Miyao;M. Moniwa;K. Kusukawa;W. Sinke
通讯作者：
W. Sinke