A Technology Analysis of Voltage Sharing in Series Connected Power Devices
A Technology Analysis of Voltage Sharing in Series Connected Power Devices
复制标题
串联功率器件均压技术分析
DOI：
10.23919/ipec.2018.8507853
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Davletzhanova Z
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Davletzhanova Z
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SiC 肖特基二极管的压力接触多芯片封装
DOI：
10.23919/ispsd.2017.7988977
发表时间：
2017
期刊：
2017 29th International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
J. González;O. Alatise;P. Mawby;A. M. Aliyu;A. Castellazzi
通讯作者：
A. Castellazzi
SiC 功率 MOSFET 的 SPICE 建模和动态电热仿真
DOI：
10.1109/ispsd.2014.6856032
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD)
影响因子：
--
作者：
V. d’Alessandro;A. Magnani;M. Riccio;G. Breglio;A. Irace;N. Rinaldi;A. Castellazzi
通讯作者：
A. Castellazzi
影响因子：
6.7
作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;L. Ran;P. Mawby
通讯作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;L. Ran;P. Mawby
DOI：
10.1109/epe.2016.7695307
发表时间：
2016-09
期刊：
2016 18th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE'16 ECCE Europe)
影响因子：
--
作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;L. Ran;P. Mawby
通讯作者：
Ji Hu;O. Alatise;J. González;R. Bonyadi;L. Ran;P. Mawby
带主动电压控制的串联 SiC MOSFET
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
IEEE Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications
影响因子：
--
作者：
P. Palmer;Jin Zhang;Xueqiang Zhang
通讯作者：
Xueqiang Zhang