Design-Technology Co-optimization for Cryogenic Tensor Processing Unit
Design-Technology Co-optimization for Cryogenic Tensor Processing Unit
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低温张量处理单元的设计与技术协同优化
DOI：
10.1109/apccas55924.2022.10090326
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Yu, Shimeng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kang, Dong Suk;Yu, Shimeng
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1.1V、667MHz 随机周期、非对称 2T 增益单元嵌入式 DRAM，99.9 百分位数保留时间为 110μs
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
Symposium on VLSI Circuits
影响因子：
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作者：
K. Chun;P. Jain;Tae;C. Kim
通讯作者：
C. Kim
冷 CMOS 作为高级 FinFET 的功耗、性能和可靠性增强器
DOI：
10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265065
发表时间：
2020
期刊：
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
H. Chiang;T. C. Chen;J. F. Wang;S. Mukhopadhyay;W. K. Lee;C. Chen;W. Khwa;B. Pulicherla;P. Liao;K. Su;K. F. Yu;T. Wang;H. P. Wong;C. Diaz;J. Cai
通讯作者：
J. Cai
22nm FDSOI 平台上的低温 RF CMOS 记录 fT=495GHz 和 fMAX=497GHz
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
Symposium on VLSI Technology
影响因子：
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作者：
W. Chakraborty;K. A. Aabrar;J. Gomez;R. Saligram;A. Raychowdhury;P. Fay;S. Datta
通讯作者：
S. Datta
基于内存计算的深度神经网络加速器的低温性能
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
International Symposium on Circuits and Systems
影响因子：
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作者：
Panni Wang;Xiaochen Peng;W. Chakraborty;A. Khan;S. Datta;Shimeng Yu
通讯作者：
Shimeng Yu