InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm
InAs QDs on (111)-faceted Si (001) hollow substrates with strong emission at 1300 nm and 1550 nm
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(111) 面 Si (001) 空心基板上的 InAs 量子点在 1300 nm 和 1550 nm 处具有强发射
DOI：
10.1063/1.5043169
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发表时间：
2018-07
影响因子：
4
通讯作者：
Zhang Jian-Jun
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei Wen-Qi;Wang Jian-Huan;Zhang Bin;Zhang Jie-Yin;Wang Hai-Ling;Feng Qi;Xu Hong-Xing;Wang Ting;Zhang Jian-Jun
通过在 U 形图案化 Si (001) 衬底上同质外延形成具有底层中空结构的高度均匀 (111) 面 Si 锯齿。通过 III-V/IV 双室分子束外延在此类衬底上进行原位 III-V 生长，通过电子通道衬度图像 (ECCI) 方法获得了高质量的 GaAs 层，其穿透位错密度约为 106 cm−2。 InAs/GaAs 和 InAs/InGaAs 量子点 (QD) 在 O 波段 (1300 nm) 和 C/L 波段 (1550 nm) 电信波长下的强室温发射均在 Si (001) 基板上实现。
Highly uniform (111)-faceted Si sawtooth with underlying hollow structures is formed by homo-epitaxy on a U-shape patterned Si (001) substrate. With in-situ III-V growth on such substrates by the III-V/IV dual chamber molecular beam epitaxy, a high-quality GaAs layer is obtained with threading dislocation density approximately ~ 106 cm−2 via electron channeling contrast image (ECCI) method. Strong room-temperature emission of InAs/GaAs and InAs/InGaAs quantum dots (QDs) at O-band (1300 nm) and C/L-band (1550 nm) telecommunication wavelengths are both achieved on Si (001) substrates.
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Jizhong Li;J. Bai;Ji-Soo Park;B. Adekore;K. Fox;M. Carroll;Anthony Lochtefeld;Z. Shellenbarger
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Yuan-Hsuan Jhang;R. Mochida;K. Tanabe;K. Takemasa;M. Sugawara;S. Iwamoto;Y. Arakawa
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