MBE of III-Nitride Semiconductors for Electronic Devices
MBE of III-Nitride Semiconductors for Electronic Devices
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电子器件用 III 族氮化物半导体的 MBE
DOI：
10.1002/9781119354987.ch7
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
P. Waltereit
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Aidam;O. Ambacher;E. Diwo;B. Godejohann;L. Kirste;T. Lim;R. Quay;P. Waltereit
7.1介绍k GaN及其与InN和AlN的合金由于具有宽的带隙范围，可以在电子和k光电子领域实现各种应用（图7. 1）。它特别适合高频功率放大[1]，因为它具有3.3 MVcm− 1的大击穿电场和2.5× 107 cm s− 1的高饱和速度。如今，金属有机气相外延（MOVPE）是GaN电子工业中最常用的方法，因为它可以实现高生长速率和产量。然而，分子束外延（MBE）是用于基于III族氮化物半导体的电子器件的外延生长的有吸引力的方法。与MOVPE相比，可以获得更尖锐的界面和更低的杂质水平，这支持具有优异电子特性的异质结构的制造。此外，较低的生长温度使含In层的外延，如GaInN [2，3]，AlInN [4，5]和AlGaInN [6，7]，这是非常有趣的高功率器件在高频。在本章中，等离子体辅助分子束外延（PAMBE）和氨基MBE（氨MBE）的不同生长技术。重点是二元GaN和AlN，三元拉伸应变AlGaN，晶格匹配的三元AlInN和四元AlGaInN的生长，以及有意纳入硅的n型掺杂，镁的p型掺杂，和碳的电荷载流子补偿。Ga面电子器件的生长的基本方面进行了描述，
7.1 Introduction k GaN and its alloys with InN and AlN enable various applications in electronics and k optoelectronics due to the wide range of band gaps (Figure 7.1). Especially it is suitable for high-frequency power amplification [1] because of its large breakdown electric field of 3.3 MVcm− 1 and high saturation velocity of 2.5× 107 cm s− 1. Nowadays, metal organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) is the most common method in GaN electronic industries, as it allows high growth rates and throughput. However, molecular beam epitaxy (MBE) is an attractive method for epitaxial growth of III-nitride semiconductor-based electronic devices. In comparison to MOVPE, sharper interfaces and lower impurity levels can be obtained, which supports the fabrication of heterostructures with excellent electronic properties. In addition, the lower growth temperature enables epitaxy of In-containing layers like GaInN [2, 3], AlInN [4, 5], and AlGaInN [6, 7], which are very interesting for high-power devices at high frequencies.In this chapter, the different growth techniques of plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE) and ammonia-based MBE (ammonia MBE) are presented. The emphasis is on the growth of binary GaN and AlN, ternary tensile-strained AlGaN, lattice-matched ternary AlInN and quaternary AlGaInN, as well as intentional incorporation of silicon for n-type doping, magnesium for p-type doping, and carbon for charge carrier compensation. Essential aspects of the growth of Ga-face electron devices are described for
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影响因子：
3.2
作者：
R. Aidam;E. Diwo;N. Rollbühler;L. Kirste;F. Benkhelifa
通讯作者：
R. Aidam;E. Diwo;N. Rollbühler;L. Kirste;F. Benkhelifa
通过等离子体辅助分子束外延在 4 英寸 SiC 上重复且均匀地生长基于 GaN 的 HEMT，适合生产
DOI：
10.1002/pssa.201026020
发表时间：
2010
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
--
作者：
R. Aidam;P. Waltereit;L. Kirste;M. Dammann;R. Quay
通讯作者：
R. Quay
在 MOVPE GaN/Al2O3 模板上生长的具有原子级光滑和纳米柱状形态的 InGaN 外延层的等离子体辅助 MBE
影响因子：
1.8
作者：
V. Jmerik;A. Mizerov;T. Shubina;M. Yagovkina;V. B. Listoshin;A. Sitnikova;S. Ivanov;Min Ho Kim;M. Koike;B. J. Kim
通讯作者：
B. J. Kim
氨分子束外延 GaN 同质外延生长过程中的生长机制
影响因子：
3.2
作者：
A. Corrion;Feng Wu;J. Speck
通讯作者：
J. Speck
使用氨进行 GaN 分子束外延生长的理论研究：速率方程方法
影响因子：
1.4
作者：
Wenning Fu;R. Venkat
通讯作者：
R. Venkat