Near-field evaluation of a quantum size effect in self-aligned GaN whiskers fabricated by photochemical etching
Near-field evaluation of a quantum size effect in self-aligned GaN whiskers fabricated by photochemical etching
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光化学刻蚀自对准 GaN 晶须量子尺寸效应的近场评估
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Ohtsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kitamura;T. Yatsui;and M. Ohtsu
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