InAs electron avalanche photodiodes with 580 GHz gain-bandwidth product
InAs electron avalanche photodiodes with 580 GHz gain-bandwidth product
复制标题
具有 580 GHz 增益带宽积的 InAs 电子雪崩光电二极管
DOI：
10.1109/oecc.2012.6276450
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ker P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ker P
影响因子：
2.5
作者：
P. Ker;A. Marshall;A. Krysa;J. David;C. Tan
通讯作者：
P. Ker;A. Marshall;A. Krysa;J. David;C. Tan
适用于 10 Gb/s 接收器的可靠、高增益带宽产品 InGaAs/InP 雪崩光电二极管
DOI：
--
发表时间：
1999
期刊：
OFC/IOOC . Technical Digest. Optical Fiber Communication Conference, 1999, and the International Conference on Integrated Optics and Optical Fiber Communication
影响因子：
--
作者：
W. Clark;A. Margittai;J. Noel;S. Jatar;H. Kim;E. Jamroz;G. Knight;D. Thomas
通讯作者：
D. Thomas
高速 InAs 电子雪崩光电二极管克服了传统增益带宽积的限制。
影响因子：
3.8
作者：
A. Marshall;P. Ker;A. Krysa;J. David;C. Tan
通讯作者：
C. Tan