Low Pressure Chemical Vapour Deposition of Crystalline Ga2Te3 and Ga2Se3 Thin Films from Single Source Precursors Using Telluroether and Selenoether Complexes
Low Pressure Chemical Vapour Deposition of Crystalline Ga2Te3 and Ga2Se3 Thin Films from Single Source Precursors Using Telluroether and Selenoether Complexes
复制标题
使用碲醚和硒醚配合物从单源前驱体低压化学气相沉积结晶 Ga2Te3 和 Ga2Se3 薄膜
DOI：
10.1016/j.phpro.2013.07.056
复制
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
George K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
George K
通过简单、高产的反应合成了[GaCl3(nBu2E)] （E = Se, Te）和[(GaCl3)2{nBuE(CH2)nEnBu}] （E = Se, n = 2; E = Te, n = 3）形式的中性碲醚和硒醚配合物。这些配合物已被证明是低压化学气相沉积ga2te3和Ga2Se3的合适前体，这是首次报道的碲醚配合物用于金属碲化物沉积的例子。用X射线衍射、SEM、EDX、拉曼和霍尔测量对薄膜进行了表征。薄膜呈结晶状，覆盖度均匀，拉曼光谱符合文献值。霍尔测量表明薄膜为p型半导体。ga2te3在光刻图纹SiO2/TiN衬底上的竞争沉积表现出在TiN上的优先沉积。
Neutral telluro- and seleno-ether complexes of the form [GaCl3(nBu2E)] (E = Se, Te) and [(GaCl3)2{nBuE(CH2)nEnBu}] (E = Se, n = 2; E = Te, n = 3) have been synthesised via a facile, high yielding reaction. These complexes have been shown to be suitable precursors for the low pressure chemical vapour deposition of Ga2Te3and Ga2Se3, the first reported example of a telluroether complex being used for the deposition of a metal telluride. The thin films have been characterised by X- ray diffraction, SEM, EDX, Raman and Hall measurements. The films are crystalline, have good, uniform coverage and Raman spectra match literature values. Hall measurements show that the thin films are p-type semiconductors. Competitive deposition of Ga2Te3onto photolithographically patterned SiO2/TiN substrates shows a preference for deposition onto TiN.
登录
查看更多内容
影响因子：
8.6
作者：
de Groot, C. H. (Kees);Gurnani, Chitra;Reid, Gillian
通讯作者：
Reid, Gillian
Ga2Se3 单晶电导率和霍尔效应的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
1995
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Belal;H. A. El‐shaikh;I. Ashraf
通讯作者：
I. Ashraf
Ga2Se3-In2Se3体系的X射线衍射研究及半导体性能
DOI：
10.1002/pssa.2210410131
发表时间：
1977
期刊：
Physica Status Solidi (a)
影响因子：
--
作者：
S. Popović;B. Čelustka;Ž. Ružić‐Toroš;D. Broz
通讯作者：
D. Broz
镓(III)的硫醚、硒醚和碲醚配合物的合成、表征和结构。
影响因子：
4
作者：
Chitra Gurnani;W. Levason;R. Ratnani;G. Reid;M. Webster
通讯作者：
M. Webster