Band alignment of two-dimensional h-BN/MoS2 van der Waals heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
Band alignment of two-dimensional h-BN/MoS2 van der Waals heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
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X 射线光电子能谱测量二维 h-BN/MoS2 范德华异质结的能带排列
DOI：
10.1016/j.jallcom.2020.155108
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发表时间：
2020-09
影响因子：
6.2
通讯作者：
Wenge Yang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Shu’an Xing;Guijuan Zhao;Jie Wang;Yan Xu;Zhixin Ma;Xunshuan Li;Jianhong Yang;Guipeng Liu;Wenge Yang
制备了二维h-BN/MoS 2货车德瓦尔斯异质结，该异质结由h-BN和MoS 2单层通过货车德瓦尔斯力结合而成。用X射线光电子能谱（XPS）测量了h-BN/MoS_2异质结的价带偏移（VBO）。测得的VBO为0.24 ± 0.15 eV，导带偏移（CBO）为3.99 ± 0.15 eV，表明h-BN/MoS_2异质结具有I型能带取向。安德森的亲和法则验证了VBO测量结果的准确性。
The two-dimensional h-BN/MoS2van der Waals heterojunction, was fabricated, and is stacked by h-BN and MoS2monolayers, which are combined together by van der Waals forces. We have measured the valence band offset (VBO) of h-BN/MoS2heterojunction by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) experimentally. The measurement result of VBO is 0.24 ± 0.15 eV and the conduction band offset (CBO) is calculated to be 3.99 ± 0.15 eV, revealing a type-I band alignment of h-BN/MoS2heterojunction. Anderson’s affinity rule has verified the accuracy of the measurement result of VBO.
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DOI：
10.1038/s43586-022-00151-5
发表时间：
2014-03
期刊：
Nature Reviews Methods Primers
影响因子：
--
作者：
R. Gorbachev
通讯作者：
R. Gorbachev
X 射线光电子能谱测量 MgO/TiO2（金红石）异质结的价带偏移
影响因子：
6.7
作者：
Wei, Hongyuan;Wang, Zhanguo;Zheng, Gaolin;Zhu, Qinsheng;Yang, Shaoyan;Guo, Yan;Liu, Xianglin;Yang, Anli;Wang, Jun;Song, Huaping;Jiao, Chunmei
通讯作者：
Jiao, Chunmei
影响因子：
35
作者：
Ciarrocchi, Alberto;Unuchek, Dmitrii;Kis, Andras
通讯作者：
Kis, Andras
X 射线光电发射光谱测量 w-InN/h-BN 异质结能带偏移
影响因子：
--
作者：
Liu, J. M.;Liu, X. L.;Xu, X. Q.;Wang, J.;Li, C. M.;Wei, H. Y.;Yang, S. Y.;Zhu, Q. S.;Fan, Y. M.;Zhang, X. W.;Wang, Z. G.
通讯作者：
Wang, Z. G.
MoS2/PtSe2 异质结能带排列的研究
影响因子：
4
作者：
Wang Wenjia;Li Kuilong;Wang Yang;Jiang Wenxin;Liu Xingyu;Qi Han
通讯作者：
Qi Han