Valence band offset of MgO/TiO2 (rutile) heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
Valence band offset of MgO/TiO2 (rutile) heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
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X 射线光电子能谱测量 MgO/TiO2（金红石）异质结的价带偏移
DOI：
10.1016/j.apsusc.2010.05.074
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发表时间：
2010-09
影响因子：
6.7
通讯作者：
Jiao, Chunmei
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Wei, Hongyuan;Wang, Zhanguo;Zheng, Gaolin;Zhu, Qinsheng;Yang, Shaoyan;Guo, Yan;Liu, Xianglin;Yang, Anli;Wang, Jun;Song, Huaping;Jiao, Chunmei
用x射线光电子能谱法直接测定了MgO/TiO2（金红石）异质结的价带偏移量（VBO）。测得异质结的VBO值为1.6±0.3 eV，导带偏置值（CBO）为3.2±0.3 eV，表明异质结呈i型带对准。这些大的数值足以使MgO在TiO2基器件中作为隧道屏障。在TiO2基场效应晶体管和染料敏化太阳能电池中使用MgO作为缓冲层，准确测定其价层和导带偏移量是非常重要的。
The valence band offset (VBO) of MgO/TiO2 (rutile) heterojunction has been directly measured by X-ray photoelectron spectroscopy. The VBO of the heterojunction is determined to be 1.6±0.3 eV and the conduction band offset (CBO) is deduced to be 3.2±0.3 eV, indicating that the heterojunction exhibits a type-I band alignment. These large values are sufficient for MgO to act as tunneling barriers in TiO2 based devices. The accurate determination of the valence and conduction band offsets is important for use of MgO as a buffer layer in TiO2 based field-effect transistors and dye-sensitized solar cells.
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影响因子：
56.9
作者：
Matsumoto, Y;Murakami, M;Koinuma, H
通讯作者：
Koinuma, H
N 掺杂锐钛矿 TiO2 X 射线光电子能谱中的 N 衍生信号
DOI：
10.1063/1.3143882
发表时间：
2009-06
期刊：
J Appl Phys
影响因子：
--
作者：
S. Wu;L. Xu;X. Xing;S. Li;Y. Yu
通讯作者：
Y. Yu
影响因子：
4
作者：
Liang Yan;C. Lopez;R. Shrestha;E. Irene;A. Suvorova;M. Saunders
通讯作者：
Liang Yan;C. Lopez;R. Shrestha;E. Irene;A. Suvorova;M. Saunders
影响因子：
3.7
作者：
W. Frensley;H. Kroemer
通讯作者：
W. Frensley;H. Kroemer
X射线光电子能谱测量MgO/4H-SiC异质结的价带偏移
影响因子：
4
作者：
Sun, G. S.;Liu, X. L.;Yang, S. Y.;Wang, Z. G.;Wei, H. Y.;Zhang, B. L.;Zhang, P. F.;Zhu, Q. S.;Cai, F. F.;Fan, H. B.
通讯作者：
Fan, H. B.