Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy.
Measurement of w-InN/h-BN Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectroscopy.
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X 射线光电发射光谱测量 w-InN/h-BN 异质结能带偏移
DOI：
10.1007/s11671-010-9650-x
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发表时间：
2010-06-01
影响因子：
--
通讯作者：
Wang, Z. G.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liu, J. M.;Liu, X. L.;Xu, X. Q.;Wang, J.;Li, C. M.;Wei, H. Y.;Yang, S. Y.;Zhu, Q. S.;Fan, Y. M.;Zhang, X. W.;Wang, Z. G.
关键词：
X射线光电子能谱已用于测量w-InN/h-BN异质结的价带偏移（VBO）。我们发现它是II型异质结，VBO为-0.30±0.09 eV，相应的导带偏移（CBO）为4.99±0.09 eV。 VBO和CBO的准确测定对于w-InN/h-BN基电子器件的设计具有重要意义。
X-ray photoelectron spectroscopy has been used to measure the valence band offset (VBO) of the w-InN/h-BN heterojunction. We find that it is a type-II heterojunction with the VBO being −0.30 ± 0.09 eV and the corresponding conduction band offset (CBO) being 4.99 ± 0.09 eV. The accurate determination of VBO and CBO is important for designing the w-InN/h-BN-based electronic devices.
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