Exploiting strain to enhance the Bi incorporation in GaAs-based III/V semiconductors using MOVPE
Exploiting strain to enhance the Bi incorporation in GaAs-based III/V semiconductors using MOVPE
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使用 MOVPE 利用应变增强 GaAs 基 III/V 半导体中 Bi 的掺入
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2017.04.005
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发表时间：
2017
影响因子：
1.8
通讯作者：
K. Volz
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L. Nattermann;P. Ludewig;E. Sterzer;K. Volz
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GaAs1−y−zPyBiz，一种与 GaAs 晶格匹配的替代带隙减小合金系统
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
K. Forghani;Y. Guan;M. Losurdo;G. Luo;D. Morgan;S. Babcock;A. Brown;L. Mawst;T. Kuech
通讯作者：
T. Kuech
影响因子：
1.8
作者：
P. Ludewig;Nikolai Knaub;W. Stolz;K. Volz
通讯作者：
P. Ludewig;Nikolai Knaub;W. Stolz;K. Volz
影响因子：
2.6
作者：
Sweeney, SJ;Phillips, AF;Thijs, PJA
通讯作者：
Thijs, PJA
影响因子：
1.8
作者：
Forghani, Kamran;Guan, Yingxin;Kuech, Thomas F.
通讯作者：
Kuech, Thomas F.
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
B. Breddermann;A. Baumner;S. Koch;P. Ludewig;W. Stolz;K. Volz;J. Hader;J. Moloney;C. Broderick;E. O’Reilly
通讯作者：
E. O’Reilly