Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method
Reduction in dislocation densities in 4H-SiC bulk crystal grown at high growth rate by high-temperature gas-source method
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高温气源法高生长速率的 4H-SiC 块晶中位错密度的降低
DOI：
10.35848/1882-0786/abace0
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发表时间：
2020
影响因子：
2.3
通讯作者：
Tsuchida Hidekazu
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Hoshino Norihiro;Kamata Isaho;Kanda Takahiro;Tokuda Yuichiro;Kuno Hironari;Tsuchida Hidekazu
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