Suspended two-dimensional electron gases in In0.75Ga0.25As quantum wells
Suspended two-dimensional electron gases in In0.75Ga0.25As quantum wells
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In0.75Ga0.25As量子阱中悬浮的二维电子气
DOI：
10.1063/5.0013902
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发表时间：
2020
影响因子：
4
通讯作者：
Chen C
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chen C
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InP 上低载流子密度 In0.75Ga0.25As 基高电子迁移率晶体管的生长温度优化
影响因子：
3.2
作者：
P. Simmonds;H. Beere;D. Ritchie;S. Holmes
通讯作者：
S. Holmes
DOI：
10.1016/j.mejo.2007.07.017
发表时间：
2008
期刊：
Microelectron. J.
影响因子：
--
作者：
S. Chorley;C. Smith;F. Perez;Jonathan Prance;P. Atkinson;D. Ritchie;G. Jones
通讯作者：
G. Jones
影响因子：
1.8
作者：
Shumin Wang;C. Karlsson;N. Rorsman;M. Bergh;E. Olsson;T. Andersson;H. Zirath
通讯作者：
Shumin Wang;C. Karlsson;N. Rorsman;M. Bergh;E. Olsson;T. Andersson;H. Zirath
影响因子：
8.6
作者：
E. Weig;R. Blick;Tobias Brandes;J. Kirschbaum;Werner Wegscheider;M. Bichler;J. Kotthaus
通讯作者：
E. Weig;R. Blick;Tobias Brandes;J. Kirschbaum;Werner Wegscheider;M. Bichler;J. Kotthaus
二维电子气异质结构薄膜的零场热电势
影响因子：
3.7
作者：
M. Schmidt;G. Schneider;C. Heyn;A. Stemmann;W. Hansen
通讯作者：
W. Hansen