Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation
Vacancy-type defects in bulk GaN grown by oxide vapor phase epitaxy probed using positron annihilation
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使用正电子湮没探测氧化物气相外延生长的块体 GaN 中的空位型缺陷
DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2021.126219
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发表时间：
2021
影响因子：
1.8
通讯作者：
Yusuke Mori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Akira Uedono;Junichi Takino;Tomoaki Sumi;Yoshio Okayama;Masayuki Imanishi;Shoji Ishibashi;Yusuke Mori
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氨热 GaN 中的空位氢配合物
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
F. Tuomisto;T. Kuittinen;M. Zając;R. Doradziński;D. Wasik
通讯作者：
D. Wasik
使用正电子湮没探测钠通量法生长的块体 GaN 中的空位型缺陷
影响因子：
1.8
作者：
A. Uedono;Masayuki Imanishi;M. Imade;M. Yoshimura;S. Ishibashi;M. Sumiya;Y. Mori
通讯作者：
Y. Mori
影响因子：
1.6
作者：
Uedono, Akira;Takashima, Shinya;Ishibashi, Shoji
通讯作者：
Ishibashi, Shoji
影响因子：
1.8
作者：
Heikkinen, T.;Pavlov, J.;Tuomisto, F.
通讯作者：
Tuomisto, F.
影响因子：
4.9
作者：
Yuhao Zhang;D. Piedra;Min-Chul Sun;J. Hennig;A. Dadgar;Lili Yu;T. Palacios
通讯作者：
Yuhao Zhang;D. Piedra;Min-Chul Sun;J. Hennig;A. Dadgar;Lili Yu;T. Palacios