Formation of Microcrystalline Silicon and SiNx Films by Electron-Beam- Induced-Chemical Vapor Deposition at Ultra Low Temperature
Formation of Microcrystalline Silicon and SiNx Films by Electron-Beam- Induced-Chemical Vapor Deposition at Ultra Low Temperature
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超低温电子束诱导化学气相沉积微晶硅和 SiNx 薄膜的形成
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Sato;M. Mitsui;J. Yamanaka;K. Nakagawa;et.al
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H 原子与固体 C2H4 和 C2H6 在 13 K 下的反应
DOI：
10.1086/306942
发表时间：
1999
期刊：
The Astrophysical Journal
影响因子：
--
作者：
K. Hiraoka;K. Yamamoto;Y. Kihara;T. Takayama;Tetsuya Sato
通讯作者：
Tetsuya Sato
10 K 下 H 原子与 SiH4 固体薄膜的低温隧道反应形成非晶硅
影响因子：
3.3
作者：
K. Hiraoka;Tetsuya Sato;Shoji Sato;S. Hishiki;Katsunori Suzuki;Y. Takahashi;Tatsuya Yokoyama;Shinichi Kitagawa
通讯作者：
Shinichi Kitagawa
影响因子：
2.9
作者：
K. Hiraoka;Tetsuya Sato
通讯作者：
Tetsuya Sato
通过 Cat-CVD 形成用于 ULSI 应用的低电阻率多晶硅和 SiNx 薄膜
影响因子：
2.1
作者：
Rui Morimoto;Chisato Yokomori;A. Kikkawa;A. Izumi;H. Matsumura
通讯作者：
H. Matsumura
影响因子：
1.5
作者：
H. Fujiwara;M. Kondo;A. Matsuda
通讯作者：
A. Matsuda