MOVPE selectively grown GaAs nano-wires with self-aligned W side gate
MOVPE selectively grown GaAs nano-wires with self-aligned W side gate
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MOVPE 选择性生长 GaAs 纳米线，具有自对准 W 侧栅极
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N.Ooike
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Kamon J;Yamauchi T;Muto S;Takekawa S;Ito Y;Hada Y;Ogawa W;Itai A;Kasuga M;Tobe K;Kadowaki T.;ダニエル・フット;Mohan P;Takeda J;Nataraj D;Noborisaka J;Miyoshi Y;Noborisaka J;N.Ooike
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影响因子：
4
作者：
LEONARD, D;KRISHNAMURTHY, M;PETROFF, PM
通讯作者：
PETROFF, PM
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影响因子：
1.5
作者：
Taketomo Sato;S. Kasai;H. Hasegawa
通讯作者：
H. Hasegawa
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影响因子：
4
作者：
K. Yoo;Jong Wan Park;JinHee Kim;K. Park;Sangchul Oh;Jinju Lee;J. Kim;Jung;Ji
通讯作者：
Ji
DOI：
10.1143/jjap.35.1311
发表时间：
1996-02-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS
影响因子：
--
作者：
Bimberg, D;Ledentsov, NN;Heydenreich, J
通讯作者：
Heydenreich, J
基于等离子体衍生硅纳米晶体的单电子存储器件
影响因子：
1.5
作者：
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通讯作者：
S. Oda