Titania/alumina bilayer gate insulators for InGaAs metal-oxide-semiconductor devices
Titania/alumina bilayer gate insulators for InGaAs metal-oxide-semiconductor devices
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用于 InGaAs 金属氧化物半导体器件的二氧化钛/氧化铝双层栅极绝缘体
DOI：
10.1063/1.3662966
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发表时间：
2011
影响因子：
4
通讯作者：
Ahn J
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Ahn J
III-V 族半导体上高 k 栅极电介质的化学束沉积：In0.53Ga0.47As 上的 TiO2
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Engel;Y. Hwang;J. Lebeau;Yan Zheng;S. Stemmer
通讯作者：
S. Stemmer
用于 Ge MOS 器件的二氧化钛/氧化铝双层栅极电介质：频率和温度相关的电气特性
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
S. Swaminathan;P. McIntyre
通讯作者：
P. McIntyre
（特邀）探索 ALD Al2O3/In0.53Ga0.47As 和 Al2O3/Ge 界面特性：先进 III-V/Ge CMOS 的共栅堆栈方法
DOI：
--
发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Lin;N. Waldron;G. Brammertz;K. Martens;Wei;S. Sioncke;A. Delabie;H. Bender;T. Conard;W. Tseng;Jian;K. Temst;A. Vantomme;J. Mitard;M. Caymax;M. Meuris;M. Heyns;T. Hoffman
通讯作者：
T. Hoffman