Preparation of SiC nanowires with fins by chemical vapor deposition
Preparation of SiC nanowires with fins by chemical vapor deposition
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化学气相沉积法制备带翅片的SiC纳米线
DOI：
10.1016/j.physe.2007.06.033
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发表时间：
2007-09
影响因子：
3.3
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
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DOI：
10.1016/s0921-5093(00)00654-7
发表时间：
2000-06-30
影响因子：
6.4
作者：
Zhou, XT;Wang, N;Lee, ST
通讯作者：
Lee, ST
影响因子：
6.2
作者：
Hua Li;Zuohu Li;A. Meng;Kezhi Li;Xingwen Zhang;Yujin Xu
通讯作者：
Hua Li;Zuohu Li;A. Meng;Kezhi Li;Xingwen Zhang;Yujin Xu
影响因子：
4
作者：
Guangyu Zhang;Xin Jiang;E. Wang
通讯作者：
Guangyu Zhang;Xin Jiang;E. Wang
影响因子：
10.8
作者：
Cambaz, GZ;Yushin, GN;Lutsenko, VG
通讯作者：
Lutsenko, VG
DOI：
10.1007/s00339-002-1961-z
发表时间：
2003-03
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
--
作者：
Z. Li;H. Li;X. Chen;A. Meng;K. Li;Y. P. Xu;L. Dai
通讯作者：
Z. Li;H. Li;X. Chen;A. Meng;K. Li;Y. P. Xu;L. Dai