Growth of m ‐GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls
Growth of m ‐GaN layers by epitaxial lateral overgrowth from sapphire sidewalls
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通过蓝宝石侧壁外延横向过度生长来生长 m-GaN 层
DOI：
10.1002/pssa.200880930
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
K. Tadatomo
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
N. Okada;Y. Kawashima;K. Tadatomo
非极性m-平面GaN层通过从蚀刻的蓝宝石侧壁外延横向过生长来制造。使用低温缓冲层从具有a平面或c平面侧壁的图案化c平面和a平面蓝宝石衬底生长具有c方向生长的m平面GaN层。通过SiO2掩模防止GaN从表面生长，并且通过深沟槽也防止GaN从沟槽底部生长。因此，相对于GaN层表面的生长取向由GaN层从蓝宝石侧壁的生长决定。因此，m面GaN层在具有a面侧壁的c面蓝宝石上或在具有c面侧壁的a面蓝宝石上生长，其中平台区域覆盖有SiO2掩模和深凹槽。（© 2009 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
Nonpolar m ‐plane GaN layers were fabricated by epitaxial lateral overgrowth from etched sapphire sidewalls. The m ‐plane GaN layers with c ‐direction growth were grown from patterned c ‐plane and a ‐plane sapphire substrates with a ‐plane or c ‐plane sidewalls using a low‐temperature buffer layer. The growth of GaN from the surface was prevented by a SiO2 mask, and that from the bottom of grooves was also prevented by deep grooves. Thus, the growth orientation relative to the surface of the GaN layer was determined by the growth of the GaN layer from the sapphire sidewalls. Consequently, m ‐plane GaN layers were grown on c ‐plane sapphire with a ‐plane sidewalls or on a ‐plane sapphire with c ‐plane sidewalls with the terrace regions covered with a SiO2 mask and deep grooves. (© 2009 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)
在 7° 离轴 (001)Si 衬底上生长的 (1-101)GaN 的光学和电学特性
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Appl.Phys.Lett. 84・23
影响因子：
--
作者：
K. Hayashi;S. Mizuno;S. Tanaka;H. Toyoda;H. Tochihara;I. Suemune;T.Hikosaka
通讯作者：
T.Hikosaka
影响因子：
4
作者：
K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;S. Masui;S. Nagahama;T. Mukai
通讯作者：
K. Kojima;M. Funato;Y. Kawakami;S. Masui;S. Nagahama;T. Mukai
(1-101) 面上 InGaN/GaN 量子阱的生长和光学特性
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
phys. stat. sol 2
影响因子：
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作者：
T.Narita;Y.Honda;M.Yamaguchi;and N.Sawaki
通讯作者：
and N.Sawaki