Etching characteristics of low-k SiCOH thin films under fluorocarbon-based plasmas
Etching characteristics of low-k SiCOH thin films under fluorocarbon-based plasmas
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氟碳等离子体下低k SiCOH薄膜的刻蚀特性
DOI：
10.1016/j.vacuum.2022.111165
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
通讯作者：
Jang, Seonhee
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Comeaux, Jacob;Wirth, William;Courville, Justin;Baek, Nam-Wuk;Jung, Donggeun;Jang, Seonhee
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低k介质表面等离子体损伤机理研究
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
TURBAN, G
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
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通讯作者：
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DOI：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Baklanov