n‐Doped InGaP Nanowire Shells in GaAs/InGaP Core–Shell p–n Junctions
n‐Doped InGaP Nanowire Shells in GaAs/InGaP Core–Shell p–n Junctions
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GaAs/InGaP CoreâShell 盘结中的 nâDoped InGaP 纳米线壳
DOI：
10.1002/pssb.201900358
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N Weimann
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
L Liborius;J Bieniek;A Nägelein;F-J Tegude;W Prost;T Hannappel;A Poloczek;N Weimann
本文报道了同轴非有意掺杂（nid）-GaAs/n-InGaP中的n掺杂InGaP：Si壳层以及通过金属有机气相外延生长的n-p-n核-多壳纳米线的表征。多尖端扫描隧道显微镜技术用于沿锥形nid-GaAs/n-InGaP核-壳纳米线的接触无关电阻分布沿着，以估计所建立的发射极壳掺杂浓度为ND = 3 ·1018 cm −3。这些壳上的接触被证明，退火后表现出欧姆电流-电压特性。应用潜力通过在n-p-n核多壳纳米线中生长和加工同轴p-GaAs/n-InGaP结来展示，其中n-InGaP是电子供应发射极材料。电流-电压特性和温度依赖性电致发光测量证实了n-InGaP壳层的成功掺杂。低温下的亚带隙发光证实了隧道辅助对所研究的p-n结的漏电流的贡献，并归因于辐射隧道过程。
Herein, the characterization of n‐doped InGaP:Si shells in coaxial not‐intentionally doped (nid)‐GaAs/n‐InGaP as well as n–p–n core–multishell nanowires grown by metalorganic vapor‐phase epitaxy is reported. The multi‐tip scanning tunneling microscopy technique is used for contact‐independent resistance profiling along the tapered nid‐GaAs/n‐InGaP core–shell nanowires to estimate the established emitter shell doping concentration toND≈ 3 · 1018cm−3. Contacts on these shells are demonstrated and exhibit ohmic current–voltage characteristics after annealing. Application potential is demonstrated by the growth and processing of coaxial p‐GaAs/n‐InGaP junctions in n–p–n core–multishell nanowires, with n‐InGaP being the electron‐supplying emitter material. Current–voltage characteristics and temperature‐dependent electroluminescence measurements substantiate successful doping of the n‐InGaP shell. A tunneling‐assisted contribution to the leakage currents of the investigated p–n junctions is verified by the sub‐bandgap luminescence at low temperatures and is attributed to radiative tunneling processes.
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B. Ketterer;E. Uccelli;A. Fontcuberta i Morral