Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価
Si高指数面上に形成した酸化膜界面構造の真空紫外RDS 評価
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Si高折射率表面氧化膜界面结构的真空紫外RDS评价
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
安田哲二
中科院分区：
文献类型：
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作者：
尾形祥一;大野真也;田中正俊;安田哲二
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Si(100)表面氧化铈、氧化钇稳定氧化锆和氧化铈-氧化锆混合物薄膜的初始阶段和生长过程
影响因子：
1.5
作者：
Tadahiko Hirai;K. Teramoto;H. Koike;Kazuhito Nagashima Kazuhito Nagashima;Yasuo Tarui Yasuo Tarui
通讯作者：
Yasuo Tarui Yasuo Tarui
CeO2外延层与Si衬底界面中间非晶层形成机制
DOI：
10.1143/jjap.32.1765
发表时间：
1993
期刊：
影响因子：
--
作者：
Tomoyasu Inoue;T. Ohsuna;Yasuhiro Obara;Yasuhiro Yamamoto;M. Satoh;Y. Sakurai
通讯作者：
Y. Sakurai
用作硅 MOSFET 栅极电介质的高 K 候选材料
DOI：
10.1007/0-387-26089-7_2
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
作者：
D. Schlom;C. Billman;J. Haeni;J. Lettieri;P. H. Tan;Rainer Held;S. Voelk;K. J. Hubbard
通讯作者：
K. J. Hubbard
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00133-0
发表时间：
1998-06-12
期刊：
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY
影响因子：
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作者：
Ami, T;Suzuki, M
通讯作者：
Suzuki, M
影响因子：
3.2
作者：
BARDAL, A;MATTHEE, T;SAMWER, K
通讯作者：
SAMWER, K