Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation
Wafer-scale Fabrication of Vertical GaN p-n Diodes with Graded JTE Structures Using Multiple-zone Boron Implantation
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使用多区硼注入晶圆级制造具有渐变 JTE 结构的垂直 GaN p-n 二极管
DOI：
10.1109/ispsd49238.2022.9813654
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Harada Shinsuke
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Miura Yoshinao;Hirai Hirohisa;Nakajima Akira;Harada Shinsuke
在这项研究中，提出了一种新的渐变结终端延伸（JTE）结构的高压垂直GaN功率器件。多区域硼注入布局用于形成分级的受体浓度分布沿着的JTE使我们能够获得具有超过1200 V的高雪崩免疫力的p-n二极管。在4英寸的独立GaN衬底上的p-n二极管的晶圆级制造中，在整个晶圆上观察到良好的反向特性，示出了高达1450 V的击穿电压分布，具有圆形对称性。我们展示了p-n二极管在400 V下的双脉冲开关波形，并显示了反映GaN特有的短载流子寿命的反向恢复特性。所提出的JTE技术具有很高的潜力，晶圆级制造的强大和高效的垂直GaN器件。
In this study, a novel graded junction termination extension (JTE) structure is proposed for high voltage vertical GaN power devices. A multiple-zone boron implantation layout used to form a graded acceptor concentration profile along the JTE enables us to obtain p-n diodes with high avalanche immunity over 1200 V. In wafer- scale fabrication of the p-n diodes on a 4-inch free-standing GaN substrate, good reverse characteristics are observed across the wafer, showing breakdown voltage distribution of as much as 1450 V with circular symmetry. We demonstrate double-pulse switching waveforms at 400 V for the p-n diodes and show reverse recovery properties that reflect a short carrier lifetime specific to GaN. The proposed JTE technique has high potential for wafer-scale fabrication of robust and highly efficient vertical GaN devices.
通过将硼注入 p 型层进行电导率控制的垂直 GaN 功率器件的新 JTE 技术
DOI：
10.23919/ispsd50666.2021.9452219
发表时间：
2022
期刊：
Proc. of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
Miura Yoshinao;Hirai Hirohisa;Nakajima Akira;Harada Shinsuke
通讯作者：
Harada Shinsuke
GaN 垂直 p-n 二极管中的氢调制阶梯分级结终端扩展
影响因子：
4.9
作者：
Wei Lin;Maojun Wang;R. Yin;Jin Wei;C. Wen;B. Xie;Y. Hao;B. Shen
通讯作者：
B. Shen
天线边缘等离子体低等离子体损伤氢终止工艺
DOI：
--
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
作者：
Y. Jingu;H. Kawarada;et. al.
通讯作者：
et. al.