Low plasma damage hydrogen-termination process by antenna-edge-plasma
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天线边缘等离子体低等离子体损伤氢终止工艺
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Jingu;H. Kawarada;et. al.
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镁掺杂 GaN 薄膜中与氢相关的深度束缚激子
DOI：
10.1063/1.4819029
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
--
作者：
R. Juday;A. Fischer;Yu Huang;J. Huang;H. Kim;J. Ryou;R. Dupuis;D. Bour;F. Ponce
通讯作者：
F. Ponce
GaN 中 Mg 杂质和 Mg-H 络合物的第一性原理计算
DOI：
10.1143/jjap.35.l807
发表时间：
1996
期刊：
影响因子：
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作者：
Y. Okamoto;M. Saito;A. Oshiyama
通讯作者：
A. Oshiyama
DOI：
10.1002/pssa.201000976
发表时间：
2011-07
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
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作者：
K. Nomoto;Y. Hatakeyama;H. Katayose;N. Kaneda;T. Mishima;Tohru Nakamura
通讯作者：
K. Nomoto;Y. Hatakeyama;H. Katayose;N. Kaneda;T. Mishima;Tohru Nakamura
掺镁 GaN 的时间分辨阴极发光
DOI：
10.1063/1.3000383
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
A. Fischer;S. Srinivasan;F. Ponce;B. Monemar;F. Bertram;J. Christen
通讯作者：
J. Christen
影响因子：
4.9
作者：
Ji, Dong;Agarwal, Anchal;Chowdhury, Srabanti
通讯作者：
Chowdhury, Srabanti